Innovation
— Le 14 novembre 2018
Collaboration STMicroelectronics et CEA Grenoble sur le GaN-on-Silicium
La coopération entre STMicroelectronics et CEA Grenoble vise à concevoir et industrialiser des architectures de diodes et transistors de puissance avancée en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si). Cette technologie de fabrication permettra à ST de répondre aux exigences d’applications telles que les chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, les chargeurs sans fils et serveurs. Développée dans le cadre du programme de l’IRT Nanoelec, la technologie sera transférée de la ligne R&D 200 mm du CEA vers une ligne pilote de fabrication 200 mm exploitée par ST, opérationnelle d’ici 2020.
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