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Ils font l'actu — Le 9 octobre 2023

Les prochaines générations de puces FD-SOI s’inventent à Grenoble

Le CEA-Leti, institut de recherche technologique du CEA de Grenoble spécialisé dans les micro et nano-technologies, investit plus de 500 M€ en cinq ans dans le développement des prochaines générations de puces FD-SOI.

© A. Aubert

Développée il y a 30 ans au CEA-Leti, la technologie FD-SOI (pour fully depleted silicium on insulator) permet d’obtenir des composants très fiables et jusqu’à 40 % moins consommateurs d’énergie par rapport aux transistors classiques. Elle répond ainsi aux exigences des applications mobiles, lesquelles nécessitent toujours plus de performance, d’autonomie et de fiabilité à un coût compétitif. Elle se heurte cependant à la limite actuelle de 22 nanomètres de finesse de gravure, contre 3 nanomètres pour la technologie silicium classique.

Cap sur les 10 nanomètres

Afin de réduire encore les coûts de fabrication, le CEA-Leti entend développer des puces FD-SOI avec des nœuds de 10 nanomètres et moins. Pour cela, il recevra une enveloppe de 450 M€ de l’État dans le cadre du plan France 2030, dans le but d’assurer la souveraineté du pays dans le domaine des semi-conducteurs. À cette enveloppe s’ajouteront 50 M€ investis par l’Institut lui-même sur les 5 prochaines années. Le développement se fera en collaboration avec trois industriels clés de la filière : STMicroelectronics, qui utilise cette technologie pour certains de ses composants, GlobalFoundries, qui développe des procédés de fabrication de puces FD-SOI et Soitec, le principal fournisseur mondial de substrats FD-SOI.

CEA-Leti-Salle-Blanche-robot-de-retournement
CEA-Leti, Salle Blanche Robot de retournement © A. Aubert

 

Outre le financement d’une quarantaine d’équipements de pointe, le plan d’investissement prévoit la construction d’une salle blanche de 2000 mètres carrés, et l’acquisition d’une ligne pilote destinée à faciliter l’industrialisation des prochaines générations de puces. L’un des premiers résultats attendus de ce programme est la mise à disposition d’un kit de conception de circuits FD-SOI en 10 nanomètres d’ici fin 2025. L’usine iséroise commune de STMicroelectronics et GlobalFoundries, sera la principale bénéficiaire des transferts de technologie du CEA-Leti pour la fabrication de circuits avancés en FD-SOI.

L. Marty

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